一定要记住二极管锗回收,推荐铟锗

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最终得涉及到硅锗的产生——一般用其化学元素符号SiGe简称,音标发音为“sig-ē”——特别是在特别注意,它并不是一个错误的结论,反而是2个不正确的结论。在改正这种不正确的情况下,IBM的BernardMeyerson博士研究生为手机上、卫星导航系统(GPS)机器设备、移动无线宽带互联网技术(WiFi)和移动数字电视等无线通讯设备的井喷式发展趋势奠定了基础。

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第二步用于电子设备、锗锭或方坯需要进一步提纯,这通常通过区域精炼技术来实现。然后通过添加微量的砷、镓或其他元素来熔化和“掺杂”高纯度锗,以产生所需的电子特性。最后,使用晶种作为核心,在精心控制的温度下从熔体中生成单晶。锗单晶是在氮气或氦气气氛中从熔融材料中生长出来的。然后通过掺杂(注入)电子供体或受体原子将它们转化为半导体,方法是在晶体生长期间将杂质掺入熔体中或通过扩散晶体形成后的杂质。

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通常情况下用以电子产品、锗锭或钢坯必须进一步纯化,这一般根据地区精练技术性来完成。随后根据加上少量的砷、镓或别的元素来熔融和“夹杂”高纯锗,以形成需要的电子特点。最终,应用晶种做为关键,在细致调节的环境温度下从溶体中形成单晶体。锗单晶体要在N2或氮气氛围中从熔化原材料中成长下来的。随后根据夹杂(引入)电子器件供者或蛋白激酶分子将他们转换为半导体材料,方式要在晶体材料期内将残渣掺加溶体中或根据蔓延结晶产生前的残渣。

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